Fourti à haute température à haute température
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Four à graphitisation à haute température verticale couramment utilisée en 3000 ℃ dans le four à ultra-haute température, utilisé pour une variété de films graphite de conductivité thermique (film PI), matériaux d'anode de batterie au lithium,...
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Fournace à graphitisation à haute température couramment utilisé dans 3000 ℃ dans le four à ultra-haute température, utilisé pour une variété de films graphite à conductivité thermique élevée (film PI), matériaux d'anode de batterie au lithium,...
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Pour certains clients, les clients ont besoin de produits en graphite pour la forme carrée, tels que le «box» graphite carré, du papier graphite empilé multicouche ou un film laminé et d'autres matériaux doivent être en graphite, le four à...
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La fournaise en graphitisation continue est généralement appliquée à toutes sortes de matériaux de carbone sous la protection de diverses atmosphères inertes, en continu après la température de 2000-3000 ℃, la structure du maillage hexagonal a...
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Le four de purification à haute température produit par notre entreprise est principalement appliqué à la purification de la poudre à haute teneur en carbone, du graphite de haute pureté et des matériaux isolants de haute pureté. Le graphite de...
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Quantité de commande minimum:2 OthersDétails d'emballage:Exporter des caisses en boisSoutenir:Production Cycle: 3 monthsAvec la découverte et l'application profonde de nanotubes de carbone, de nouveaux nanomatériaux de carbone, du graphite flexible, du graphène et d'autres nouveaux matériaux de carbone et des matériaux à base de carbone, ce qui les rend une...
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Model No:YHGY-HT-00Détails d'emballage:Exporter des caisses en boisSoutenir:Production Cycle: 3 monthsLe four à graphitisation à haute température horizontal produit par notre entreprise est principalement utilisé pour le frittage et la graphitisation des matériaux avancés en carbone, la graphitisation du film PI, la graphitisation des matériaux...
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Le four de dépôt en carbure de silicium est une méthode en introduisant des substances précurseurs (généralement des composés organiques ou des composés organiques métalliques) dans le gaz de réaction dans la chambre de réaction, et les faisant...